NVMFD5483NLT3G 価格設定（USD） [84747個在庫]
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- 品番:
- NVMFD5483NLT3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFD5483NLT3G electronic components. NVMFD5483NLT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5483NLT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFD5483NLT3G 製品の属性
品番 :
NVMFD5483NLT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 6.4A 8DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.4A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
36 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
23.4nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
668pF @ 25V
パワー-最大 :
3.1W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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