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- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 3A TSM.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage SSM3K302T(TE85L,F) electronic components. SSM3K302T(TE85L,F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SSM3K302T(TE85L,F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SSM3K302T(TE85L,F) 製品の属性
品番 :
SSM3K302T(TE85L,F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 30V 3A TSM
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.8V, 4V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
71 mOhm @ 2A, 4V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.3nC @ 4V
Vgs（最大） :
±12V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
270pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TSM
パッケージ/ケース :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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