SIR124DP-T1-RE3 価格設定（USD） [183951個在庫]
- 1 pcs$0.20107
- 品番:
- SIR124DP-T1-RE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIR124DP-T1-RE3 electronic components. SIR124DP-T1-RE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIR124DP-T1-RE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIR124DP-T1-RE3 製品の属性
品番 :
SIR124DP-T1-RE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CHAN 80-V POWERPAK SO-8
シリーズ :
TrenchFET® Gen IV
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
16.1A (Ta), 56.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
7.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.4 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.8V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
40nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1666pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
5W (Ta), 62.5W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8
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