ON Semiconductor - FDN357N

KEY Part #: K6396109

FDN357N 価格設定(USD) [615595個在庫]

  • 1 pcs$0.06038
  • 3,000 pcs$0.06008

品番:
FDN357N
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDN357N electronic components. FDN357N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDN357N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDN357N 製品の属性

品番 : FDN357N
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 1.9A SSOT3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 1.9A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 60 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 5.9nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 235pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 500mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT-3
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません