Microsemi Corporation - APT60GF120JRDQ3

KEY Part #: K6532853

APT60GF120JRDQ3 価格設定(USD) [1126個在庫]

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品番:
APT60GF120JRDQ3
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 149A 625W SOT227.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APT60GF120JRDQ3 製品の属性

品番 : APT60GF120JRDQ3
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 149A 625W SOT227
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : NPT
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 149A
パワー-最大 : 625W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 3V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 350µA
入力容量(Cies)@ Vce : 7.08nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : ISOTOP
サプライヤーデバイスパッケージ : ISOTOP®

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