NTS4101PT1G 価格設定（USD） [969837個在庫]
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- 品番:
- NTS4101PT1G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTS4101PT1G electronic components. NTS4101PT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTS4101PT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTS4101PT1G 製品の属性
品番 :
NTS4101PT1G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 1.37A SOT-323
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.37A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
120 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
9nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
840pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
329mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SC-70-3 (SOT323)
パッケージ/ケース :
SC-70, SOT-323
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