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Microsemi Corporation - JAN2N7334

KEY Part #: K6523786

[4049個在庫]

    品番:
    JAN2N7334
    メーカー:
    Microsemi Corporation
    詳細な説明:
    MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Microsemi Corporation JAN2N7334 electronic components. JAN2N7334 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JAN2N7334, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    JAN2N7334 製品の属性

    品番 : JAN2N7334
    メーカー : Microsemi Corporation
    説明 : MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
    シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/597
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : 4 N-Channel
    FET機能 : Standard
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 100V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1A
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 700 mOhm @ 600mA, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 60nC @ 10V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : -
    パワー-最大 : 1.4W
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    パッケージ/ケース : 14-DIP (0.300", 7.62mm)
    サプライヤーデバイスパッケージ : MO-036AB

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