ON Semiconductor - NTR3A30PZT1G

KEY Part #: K6416257

NTR3A30PZT1G 価格設定(USD) [383676個在庫]

  • 1 pcs$0.09640
  • 3,000 pcs$0.09462

品番:
NTR3A30PZT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTR3A30PZT1G electronic components. NTR3A30PZT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTR3A30PZT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTR3A30PZT1G 製品の属性

品番 : NTR3A30PZT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 38 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 17.6nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1651pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 480mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23-3 (TO-236)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

あなたも興味があるかもしれません
  • IRF5803TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP.

  • IRF5802TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-TSOP.

  • BS170

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 500MA TO-92.

  • PSMN5R0-80PS,127

    Nexperia USA Inc.

    MOSFET N-CH 80V 100A TO220AB.

  • FDG311N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 1.9A SC70-6.

  • FDG410NZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2.2A SC70-6.