TK20J60U(F) 価格設定（USD） [854個在庫]
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- 50 pcs$2.13017
- 100 pcs$1.94084
- 品番:
- TK20J60U(F)
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK20J60U(F) electronic components. TK20J60U(F) can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK20J60U(F), Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TK20J60U(F) 製品の属性
品番 :
TK20J60U(F)
メーカー :
Toshiba Semiconductor and Storage
説明 :
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3PN
シリーズ :
DTMOSII
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
27nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1470pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
190W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3P(N)
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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