[29個在庫]
- 品番:
- ZXMN6A25G
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated ZXMN6A25G electronic components. ZXMN6A25G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ZXMN6A25G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
ZXMN6A25G 製品の属性
品番 :
ZXMN6A25G
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
4.8A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
50 mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20.4nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1063pF @ 30V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-223
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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