Nexperia USA Inc. - PMFPB8040XP,115

KEY Part #: K6403116

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    品番:
    PMFPB8040XP,115
    メーカー:
    Nexperia USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-SCR, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PMFPB8040XP,115 製品の属性

    品番 : PMFPB8040XP,115
    メーカー : Nexperia USA Inc.
    説明 : MOSFET P-CH 20V 2.7A HUSON6
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 1.8V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8.6nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±12V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 550pF @ 10V
    FET機能 : Schottky Diode (Isolated)
    消費電力(最大) : 485mW (Ta), 6.25W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 6-HUSON-EP (2x2)
    パッケージ/ケース : 6-UDFN Exposed Pad

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