SPD08P06PGBTMA1 価格設定（USD） [240501個在庫]
- 1 pcs$0.15379
- 品番:
- SPD08P06PGBTMA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPD08P06PGBTMA1 electronic components. SPD08P06PGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPD08P06PGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPD08P06PGBTMA1 製品の属性
品番 :
SPD08P06PGBTMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET P-CH 60V 8.83A 3TO252
シリーズ :
SIPMOS®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8.83A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6.2V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
300 mOhm @ 10A, 6.2V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
420pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
42W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO252-3
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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