Microsemi Corporation - APTM120U10SCAVG

KEY Part #: K6412691

APTM120U10SCAVG 価格設定（USD） [13357個在庫]

100 pcs$133.52545

品番:: APTM120U10SCAVG

メーカー:: Microsemi Corporation

詳細な説明:: MOSFET N-CH 1200V 116A SP6.

メーカーの標準リードタイム:: 在庫あり

賞味期限:: 一年

チップから:: 香港

RoHS:

支払方法:

発送方法:

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-シングル and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in Microsemi Corporation APTM120U10SCAVG electronic components. APTM120U10SCAVG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120U10SCAVG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

GB-T-27922

ISO-9001-2015

ISO-13485

ISO-14001

ISO-28000-2007

ISO-45001-2018

APTM120U10SCAVG 製品の属性

品番 : APTM120U10SCAVG

メーカー : Microsemi Corporation

説明 : MOSFET N-CH 1200V 116A SP6

シリーズ : POWER MOS 7®

部品ステータス : Active

FETタイプ : N-Channel

技術 : MOSFET (Metal Oxide)

ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 1200V

電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 116A (Tc)

駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V

Rds On（最大）@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 58A, 10V

Vgs（th）（最大）@ Id : 5V @ 20mA

ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 1100nC @ 10V

Vgs（最大） : ±30V

入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 28900pF @ 25V

FET機能 : -

消費電力（最大） : 3290W (Tc)

動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)

取付タイプ : Chassis Mount

サプライヤーデバイスパッケージ : SP6

パッケージ/ケース : SP6

最新ニュース

Microsemi Adaptec® HBA 1100 SAS/SATA Host Bus Adapters

あなたも興味があるかもしれません

BS108ZL1G

ON Semiconductor

MOSFET N-CH 200V 0.25A TO-92.
IRFS7437-7PPBF

Infineon Technologies

MOSFET N CH 40V 195A D2PAK-7PIN.
AUIRLS3114Z

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK.
IRFR825PBF

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 500V 6A DPAK.
IRLR3714ZTRL

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 20V 37A DPAK.
IRLR4343

Infineon Technologies

MOSFET N-CH 55V 26A DPAK.

English 日本語