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- 品番:
- HUF76009D3ST
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 20V 20A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor HUF76009D3ST electronic components. HUF76009D3ST can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HUF76009D3ST, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HUF76009D3ST 製品の属性
品番 :
HUF76009D3ST
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 20V 20A DPAK
シリーズ :
UltraFET™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
27 mOhm @ 20A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
470pF @ 20V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
41W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252AA
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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