[3243個在庫]
- 品番:
- IXTM67N10
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- POWER MOSFET TO-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-JFET and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXTM67N10 electronic components. IXTM67N10 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTM67N10, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXTM67N10 製品の属性
品番 :
IXTM67N10
メーカー :
IXYS
説明 :
POWER MOSFET TO-3
シリーズ :
GigaMOS™
部品ステータス :
Last Time Buy
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
67A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 mOhm @ 33.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 4mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
260nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
4500pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-204AE
パッケージ/ケース :
TO-204AE
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