説明 :
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
技術 :
SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) :
1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C :
22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) :
20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs :
200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id :
4V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs :
57nC @ 20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds :
870pF @ 800V
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247-3