Littelfuse Inc. - LSIC1MO120E0160

KEY Part #: K6398092

LSIC1MO120E0160 価格設定(USD) [8501個在庫]

  • 1 pcs$4.84770

品番:
LSIC1MO120E0160
メーカー:
Littelfuse Inc.
詳細な説明:
SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター) and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Littelfuse Inc. LSIC1MO120E0160 electronic components. LSIC1MO120E0160 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for LSIC1MO120E0160, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

LSIC1MO120E0160 製品の属性

品番 : LSIC1MO120E0160
メーカー : Littelfuse Inc.
説明 : SIC MOSFET 1200V 22A TO247-3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : SiCFET (Silicon Carbide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 1200V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 22A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 20V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 200 mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 5mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 57nC @ 20V
Vgs(最大) : +22V, -6V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 870pF @ 800V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-247-3
パッケージ/ケース : TO-247-3

あなたも興味があるかもしれません
  • 2N7008-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 60V 0.23A TO92-3.

  • VN4012L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 400V 0.16A TO92-3.

  • R8010ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 10A TO220.

  • TK9A90E,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 900V TO220SIS.

  • RCX080N25

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 250V 8A TO220.

  • TK28A65W,S5X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 650V 27.6A TO-220SIS.