IPD30N12S3L31ATMA1 価格設定（USD） [183302個在庫]
- 1 pcs$0.20178
- 2,500 pcs$0.16463
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL100.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPD30N12S3L31ATMA1 electronic components. IPD30N12S3L31ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD30N12S3L31ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPD30N12S3L31ATMA1 製品の属性
品番 :
IPD30N12S3L31ATMA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CHANNEL100
シリーズ :
*
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
-
技術 :
-
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
-
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
-
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
-
サプライヤーデバイスパッケージ :
-
パッケージ/ケース :
-
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