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- 品番:
- SPN01N60C3
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SPN01N60C3 electronic components. SPN01N60C3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SPN01N60C3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SPN01N60C3 製品の属性
品番 :
SPN01N60C3
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223
シリーズ :
CoolMOS™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
300mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.7V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
100pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.8W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-SOT223-4
パッケージ/ケース :
TO-261-4, TO-261AA
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