IXYS - IXFT26N60Q

KEY Part #: K6408855

IXFT26N60Q 価格設定(USD) [8568個在庫]

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品番:
IXFT26N60Q
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 26A TO-268.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFT26N60Q 製品の属性

品番 : IXFT26N60Q
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 600V 26A TO-268
シリーズ : HiPerFET™
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 26A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 250 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 4mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 200nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5100pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 360W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-268
パッケージ/ケース : TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA