TSM085N03PQ33 RGG 価格設定（USD） [507441個在庫]
- 1 pcs$0.07289
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM085N03PQ33 RGG electronic components. TSM085N03PQ33 RGG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM085N03PQ33 RGG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM085N03PQ33 RGG 製品の属性
品番 :
TSM085N03PQ33 RGG
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 30V 52A 8PDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
52A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8.5 mOhm @ 13A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
817pF @ 15V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
37W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-PDFN (3x3)
パッケージ/ケース :
8-PowerWDFN
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