ON Semiconductor - FQP20N06L

KEY Part #: K6400429

FQP20N06L 価格設定(USD) [84252個在庫]

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品番:
FQP20N06L
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 60V 21A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-シングル and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FQP20N06L 製品の属性

品番 : FQP20N06L
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 60V 21A TO-220
シリーズ : QFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 55 mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 13nC @ 5V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 630pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 53W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3

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