Infineon Technologies - IRFL4315TRPBF

KEY Part #: K6415760

IRFL4315TRPBF 価格設定(USD) [260273個在庫]

  • 1 pcs$0.14211
  • 2,500 pcs$0.12188

品番:
IRFL4315TRPBF
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRFL4315TRPBF electronic components. IRFL4315TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFL4315TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFL4315TRPBF 製品の属性

品番 : IRFL4315TRPBF
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 150V 2.6A SOT223
シリーズ : HEXFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 185 mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 19nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 420pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.8W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-223
パッケージ/ケース : TO-261-4, TO-261AA

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86380-F085

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 80V 50A DPAK.

  • FQD3P50TM

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 500V 2.1A DPAK.

  • FDD5690

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 30A D-PAK.

  • RFD14N05SM9A

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 50V 14A DPAK.

  • FDD86113LZ

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK-3.

  • FDD6637

    ON Semiconductor

    MOSFET P-CH 35V 13A DPAK.