IXYS - IXFP12N50P

KEY Part #: K6394546

IXFP12N50P 価格設定(USD) [41564個在庫]

  • 1 pcs$1.08728
  • 50 pcs$1.08188

品番:
IXFP12N50P
メーカー:
IXYS
詳細な説明:
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル and サイリスタ-SCRを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in IXYS IXFP12N50P electronic components. IXFP12N50P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFP12N50P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFP12N50P 製品の属性

品番 : IXFP12N50P
メーカー : IXYS
説明 : MOSFET N-CH 500V 12A TO-220
シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 500V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 500 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 29nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1830pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 200W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
パッケージ/ケース : TO-220-3