[3528個在庫]
- メーカー:
- NXP USA Inc.
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in NXP USA Inc. PSMN013-100XS,127 electronic components. PSMN013-100XS,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PSMN013-100XS,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
PSMN013-100XS,127 製品の属性
品番 :
PSMN013-100XS,127
メーカー :
NXP USA Inc.
説明 :
MOSFET N-CH 100V 35.2A TO220F
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35.2A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
13.9 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
57.5nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3195pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
48.4W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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