ON Semiconductor - NVMFS6H864NT1G

KEY Part #: K6397283

NVMFS6H864NT1G 価格設定(USD) [214434個在庫]

  • 1 pcs$0.17249

品番:
NVMFS6H864NT1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
T8 80V SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、パワードライバーモジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NVMFS6H864NT1G electronic components. NVMFS6H864NT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFS6H864NT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NVMFS6H864NT1G 製品の属性

品番 : NVMFS6H864NT1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : T8 80V SO8FL
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 80V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6.7A (Ta), 21A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 32 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 20µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 370pF @ 40V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.5W (Ta), 33W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN, 5 Leads

あなたも興味があるかもしれません
  • AUIRFR024N

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • R6015KNX

    Rohm Semiconductor

    NCH 600V 15A POWER MOSFET.

  • R6011KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM.

  • R6024KNX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM.

  • FDN339AN

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 3A SSOT3.

  • FDN327N

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 20V 2A SSOT-3.