ON Semiconductor - NDD03N40Z-1G

KEY Part #: K6402440

NDD03N40Z-1G 価格設定(USD) [2703個在庫]

  • 1,950 pcs$0.10733

品番:
NDD03N40Z-1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NDD03N40Z-1G electronic components. NDD03N40Z-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDD03N40Z-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDD03N40Z-1G 製品の属性

品番 : NDD03N40Z-1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 400V 2.1A IPAK-4
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 400V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.1A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 3.4 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 50µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 6.6nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 140pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 37W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : IPAK (TO-251)
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

あなたも興味があるかもしれません