ON Semiconductor - NTMFS5C410NLTWFT3G

KEY Part #: K6397117

NTMFS5C410NLTWFT3G 価格設定(USD) [62898個在庫]

  • 1 pcs$0.62476
  • 5,000 pcs$0.62165

品番:
NTMFS5C410NLTWFT3G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-JFETを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NTMFS5C410NLTWFT3G electronic components. NTMFS5C410NLTWFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMFS5C410NLTWFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NTMFS5C410NLTWFT3G 製品の属性

品番 : NTMFS5C410NLTWFT3G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 40V 312A SO8FL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 50A (Ta), 330A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 0.9 mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 143nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 8862pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3.8W (Ta), 167W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • TK56A12N1,S4X

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 120V 56A TO-220.

  • STT4P3LLH6

    STMicroelectronics

    MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-6.

  • NTBS2D7N06M7

    ON Semiconductor

    NMOS D2PAK 60V 2.7 MOHM.

  • SIHA17N80E-E3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CHANNEL 800V 15A TO220.

  • STF140N8F7

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 80V 64A TO220FP.

  • STF13NM60ND

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 600V 11A TO-220FP.