Infineon Technologies - IPD50N12S3L15ATMA1

KEY Part #: K6419603

IPD50N12S3L15ATMA1 価格設定(USD) [120900個在庫]

  • 1 pcs$0.30594
  • 2,500 pcs$0.25880

品番:
IPD50N12S3L15ATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CHANNEL100.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-SCR, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IPD50N12S3L15ATMA1 electronic components. IPD50N12S3L15ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD50N12S3L15ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD50N12S3L15ATMA1 製品の属性

品番 : IPD50N12S3L15ATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CHANNEL100
シリーズ : *
部品ステータス : Active
FETタイプ : -
技術 : -
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : -
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : -
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : -
Rds On(最大)@ Id、Vgs : -
Vgs(th)(最大)@ Id : -
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : -
Vgs(最大) : -
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : -
動作温度 : -
取付タイプ : -
サプライヤーデバイスパッケージ : -
パッケージ/ケース : -

あなたも興味があるかもしれません