[13384個在庫]
- 品番:
- NTMS4101PR2
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, サイリスタ-トライアック and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTMS4101PR2 electronic components. NTMS4101PR2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTMS4101PR2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTMS4101PR2 製品の属性
品番 :
NTMS4101PR2
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
6.9A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
19 mOhm @ 6.9A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
450mV @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
32nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3200pF @ 10V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.38W (Tj)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SOIC
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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