ON Semiconductor - NDF10N60ZH

KEY Part #: K6412700

NDF10N60ZH 価格設定(USD) [13355個在庫]

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品番:
NDF10N60ZH
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDF10N60ZH 製品の属性

品番 : NDF10N60ZH
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4.5V @ 100µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 68nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1645pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 39W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220FP
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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