NDF10N60ZH 価格設定（USD） [13355個在庫]
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- 10 pcs$0.51886
- 品番:
- NDF10N60ZH
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-DIAC、SIDAC and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NDF10N60ZH electronic components. NDF10N60ZH can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDF10N60ZH, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NDF10N60ZH 製品の属性
品番 :
NDF10N60ZH
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
750 mOhm @ 5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 100µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
68nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1645pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
39W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220FP
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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