DN2535N3-G-P003 価格設定（USD） [162137個在庫]
- 1 pcs$0.23372
- 2,000 pcs$0.23255
- 品番:
- DN2535N3-G-P003
- メーカー:
- Microchip Technology
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microchip Technology DN2535N3-G-P003 electronic components. DN2535N3-G-P003 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DN2535N3-G-P003, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DN2535N3-G-P003 製品の属性
品番 :
DN2535N3-G-P003
メーカー :
Microchip Technology
説明 :
MOSFET N-CH 350V 0.12A TO92-3
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
350V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
120mA (Tj)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
0V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
25 Ohm @ 120mA, 0V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
300pF @ 25V
FET機能 :
Depletion Mode
消費電力（最大） :
1W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-92 (TO-226)
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- NP40N10VDF-E1-AY
- FDS8449-F085P
- SIR802DP-T1-GE3
- NVMFS5885NLT1G
- HAT2131R-EL-E
- IPU60R950C6AKMA1
- RJK5013DPE-00#J3
- SI4860DY-T1-E3
- IRFH8337TR2PBF
- IPP120N06S4H1AKSA1
- FDS7760A
- 5X49_BG7002B
- NTMS4706NR2
- IXFH23N80Q
- FQP19N20CTSTU
- FDU068AN03L
- FDU8874
- FDS3570
- NDS336P
- NTMS3P03R2G
- NTD23N03R-1G
- IRLR3715TRLPBF
- IRF7451PBF
- TSM6NB60CZ C0G
- NTD60N02RT4
- IRF7807VD1
- SI4410DY
- IRFI744G
- STP12NM60N
- IPL65R070C7AUMA1
- IPP60R120P7XKSA1
- SPA21N50C3XKSA1
- R5011ANJTL
- AOV11S60
- RRH140P03GZETB
- PSMNR70-30YLHX
- IPD65R650CEAUMA1
- BUK7M8R0-40EX
- IRLHS6342TRPBF
- NX138BKR