Vishay Siliconix - SI7884BDP-T1-E3

KEY Part #: K6411661

SI7884BDP-T1-E3 価格設定(USD) [56984個在庫]

  • 1 pcs$0.68616
  • 3,000 pcs$0.64226

品番:
SI7884BDP-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-ツェナー-アレイ and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI7884BDP-T1-E3 electronic components. SI7884BDP-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7884BDP-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7884BDP-T1-E3 製品の属性

品番 : SI7884BDP-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 40V 58A PPAK SO-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 58A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 7.5 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 77nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3540pF @ 20V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 4.6W (Ta), 46W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SO-8
パッケージ/ケース : PowerPAK® SO-8

あなたも興味があるかもしれません