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- 品番:
- IRLR8503TRPBF
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 30V 44A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRLR8503TRPBF electronic components. IRLR8503TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRLR8503TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRLR8503TRPBF 製品の属性
品番 :
IRLR8503TRPBF
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CH 30V 44A DPAK
シリーズ :
HEXFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
30V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
44A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 5V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1650pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
62W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-Pak
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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