Infineon Technologies - IPA80R650CEXKSA2

KEY Part #: K6399987

IPA80R650CEXKSA2 価格設定(USD) [42509個在庫]

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品番:
IPA80R650CEXKSA2
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 800V TO-220-3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPA80R650CEXKSA2 製品の属性

品番 : IPA80R650CEXKSA2
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 800V TO-220-3
シリーズ : CoolMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 800V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 8A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 650 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.9V @ 470µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 45nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1100pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 33W (Tc)
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-3F
パッケージ/ケース : TO-220-3 Full Pack

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