Vishay Siliconix - SQ2301ES-T1_GE3

KEY Part #: K6421360

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品番:
SQ2301ES-T1_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-特別な目的, ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQ2301ES-T1_GE3 製品の属性

品番 : SQ2301ES-T1_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 3.9A TO236
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.9A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 8nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±8V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 425pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TA)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-236 (SOT-23)
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

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