Vishay Siliconix - SI4890BDY-T1-E3

KEY Part #: K6406086

SI4890BDY-T1-E3 価格設定(USD) [1441個在庫]

  • 2,500 pcs$0.23145

品番:
SI4890BDY-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SI4890BDY-T1-E3 electronic components. SI4890BDY-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI4890BDY-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI4890BDY-T1-E3 製品の属性

品番 : SI4890BDY-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 30V 16A 8-SOIC
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 16A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 12 mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.6V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 1535pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 5.7W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-SO
パッケージ/ケース : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

あなたも興味があるかもしれません