Rohm Semiconductor - RS1E130GNTB

KEY Part #: K6394257

RS1E130GNTB 価格設定(USD) [507028個在庫]

  • 1 pcs$0.08065
  • 2,500 pcs$0.08025

品番:
RS1E130GNTB
メーカー:
Rohm Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Rohm Semiconductor RS1E130GNTB electronic components. RS1E130GNTB can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for RS1E130GNTB, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

RS1E130GNTB 製品の属性

品番 : RS1E130GNTB
メーカー : Rohm Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 13A 8-HSOP
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 13A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 11.7 mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.5V @ 1mA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 420pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 22.2W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-HSOP
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • ZVP0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 450V 0.045A TO92-3.

  • ZVN4424ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 240V 0.26A TO92-3.

  • ZVN4210ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

  • ZVN0545ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 450V 0.09A TO92-3.

  • IRLIZ44G

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP.

  • SQ7002K-T1-GE3

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3.