ON Semiconductor - NDD60N900U1-1G

KEY Part #: K6402368

NDD60N900U1-1G 価格設定(USD) [2729個在庫]

  • 825 pcs$0.26309

品番:
NDD60N900U1-1G
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor NDD60N900U1-1G electronic components. NDD60N900U1-1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NDD60N900U1-1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

NDD60N900U1-1G 製品の属性

品番 : NDD60N900U1-1G
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 5.9A IPAK-4
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 5.7A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 360pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 74W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : I-PAK
パッケージ/ケース : TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

あなたも興味があるかもしれません