SQJ570EP-T1_GE3 価格設定（USD） [178202個在庫]
- 1 pcs$0.20756
- 3,000 pcs$0.17541
- 品番:
- SQJ570EP-T1_GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SQJ570EP-T1_GE3 electronic components. SQJ570EP-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQJ570EP-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SQJ570EP-T1_GE3 製品の属性
品番 :
SQJ570EP-T1_GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N/P-CH 100V POWERPAK SO8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N and P-Channel
FET機能 :
Standard
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
100V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
15A (Tc), 9.5A (Tc)
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
45 mOhm @ 6A, 10V, 146 mOhm @ 6A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V, 15nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
650pF @ 25V, 600pF @ 25V
パワー-最大 :
27W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SO-8 Dual
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SO-8 Dual
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- VMM90-09P
- TPC8405(TE12L,Q,M)
- GWM180-004X2-SLSAM
- GWM180-004X2-SL
- BUK9MNN-65PKK,518
- SI7905DN-T1-E3
- SP8J5FU6TB
- IRF7309PBF
- EPC2105ENG
- APTC90AM60SCTG
- APTC60DSKM70T1G
- UPA2670T1R-E2-AX
- AO5800E
- ECH8672-TL-H
- AON4605
- IRLHS6376TR2PBF
- SI6933DQ-T1-GE3
- SI4622DY-T1-GE3
- ALD1115MAL
- MP6K31TR
- SP8K1FU6TB
- NTHD4102PT3G
- SIA914DJ-T1-E3
- SI9933BDY-T1-E3
- SI4834BDY-T1-E3
- NTJD2152PT2G
- FDW2510NZ
- ZXMC4A16DN8TC
- NTJD4001NT1
- TPC8207(TE12L)
- IRF7106
- PMWD20XN,118
- SI7540ADP-T1-GE3
- SQJ262EP-T1_GE3
- IPG20N10S4L35AATMA1
- SH8M13GZETB
- SH8K41GZETB
- SIA921EDJ-T4-GE3
- QH8KA2TCR
- BSD235CH6327XTSA1