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ON Semiconductor - FDB10AN06A0

KEY Part #: K6411311

[13835個在庫]

    品番:
    FDB10AN06A0
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FDB10AN06A0 electronic components. FDB10AN06A0 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDB10AN06A0, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDB10AN06A0 製品の属性

    品番 : FDB10AN06A0
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 60V 75A TO-263AB
    シリーズ : PowerTrench®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 12A (Ta), 75A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 6V, 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 10.5 mOhm @ 75A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 37nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 1840pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 135W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263AB
    パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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