ON Semiconductor - NTLJS4149PTAG

KEY Part #: K6413222

[13174個在庫]


    品番:
    NTLJS4149PTAG
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NTLJS4149PTAG electronic components. NTLJS4149PTAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJS4149PTAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTLJS4149PTAG 製品の属性

    品番 : NTLJS4149PTAG
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET P-CH 30V 2.7A 6-WDFN
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : P-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 2.7A (Ta)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 62 mOhm @ 2A, 4.5V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 1V @ 250µA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 15nC @ 4.5V
    Vgs(最大) : ±12V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 960pF @ 15V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 700mW (Ta)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : 6-WDFN (2x2)
    パッケージ/ケース : 6-WDFN Exposed Pad

    あなたも興味があるかもしれません
    • FDB8444TS

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 40V 70A D2PAK-5.

    • ZVN4210ASTOA

      Diodes Incorporated

      MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3.

    • BTS282Z E3180A

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 49V 80A TO-220-7.

    • IRFR3412TRPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 100V 48A DPAK.

    • IRLR024ZTRLPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 55V 16A DPAK.

    • IRLR3114ZPBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 40V 42A DPAK.