[12417個在庫]
- 品番:
- STB6N52K3
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB6N52K3 electronic components. STB6N52K3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB6N52K3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB6N52K3 製品の属性
品番 :
STB6N52K3
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 525V 5A D2PAK
シリーズ :
SuperMESH3™
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
525V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
1.2 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 50µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
26nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
670pF @ 50V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
70W (Tc)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
D2PAK
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
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