SI7102DN-T1-E3 価格設定（USD） [12447個在庫]
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- 品番:
- SI7102DN-T1-E3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SI7102DN-T1-E3 electronic components. SI7102DN-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7102DN-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI7102DN-T1-E3 製品の属性
品番 :
SI7102DN-T1-E3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8
シリーズ :
TrenchFET®
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
12V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
35A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
2.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
3.8 mOhm @ 15A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
110nC @ 8V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3720pF @ 6V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
3.8W (Ta), 52W (Tc)
動作温度 :
-50°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® 1212-8
パッケージ/ケース :
PowerPAK® 1212-8
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