IXFB30N120Q2 価格設定（USD） [2337個在庫]
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- 25 pcs$21.31180
- 品番:
- IXFB30N120Q2
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFB30N120Q2 electronic components. IXFB30N120Q2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB30N120Q2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFB30N120Q2 製品の属性
品番 :
IXFB30N120Q2
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1200V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
30A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
-
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
-
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
-
Vgs（最大） :
-
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
-
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
-
動作温度 :
-
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ISOPLUS264™
パッケージ/ケース :
ISOPLUS264™
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