FS200R12PT4BOSA1 価格設定（USD） [435個在庫]
- 1 pcs$106.51764
- 品番:
- FS200R12PT4BOSA1
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT MODULE VCES 600V 200A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies FS200R12PT4BOSA1 electronic components. FS200R12PT4BOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FS200R12PT4BOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FS200R12PT4BOSA1 製品の属性
品番 :
FS200R12PT4BOSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT MODULE VCES 600V 200A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
IGBTタイプ :
Trench Field Stop
構成 :
Three Phase Inverter
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
280A
パワー-最大 :
1000W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.15V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
1mA
入力容量（Cies）@ Vce :
14nF @ 25V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
Yes
動作温度 :
-40°C ~ 150°C
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
Module
サプライヤーデバイスパッケージ :
Module
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