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ON Semiconductor - FQD2N60CTF

KEY Part #: K6410879

[13984個在庫]

    品番:
    FQD2N60CTF
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor FQD2N60CTF electronic components. FQD2N60CTF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FQD2N60CTF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FQD2N60CTF 製品の属性

    品番 : FQD2N60CTF
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 600V 1.9A DPAK
    シリーズ : QFET®
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 1.9A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 4.7 Ohm @ 950mA, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 12nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±30V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 235pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 2.5W (Ta), 44W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : D-Pak
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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