Infineon Technologies - BSC016N03LSGATMA1

KEY Part #: K6419848

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品番:
BSC016N03LSGATMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC016N03LSGATMA1 製品の属性

品番 : BSC016N03LSGATMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8
シリーズ : OptiMOS™
部品ステータス : Not For New Designs
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 32A (Ta), 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.6 mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 2.2V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 131nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 10000pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 2.5W (Ta), 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TDSON-8
パッケージ/ケース : 8-PowerTDFN

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