FDD4N60NZ 価格設定（USD） [231873個在庫]
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- 品番:
- FDD4N60NZ
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and パワードライバーモジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FDD4N60NZ electronic components. FDD4N60NZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDD4N60NZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FDD4N60NZ 製品の属性
品番 :
FDD4N60NZ
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N CH 600V 3.4A DPAK
シリーズ :
UniFET-II™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.4A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.5 Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
10.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±25V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
510pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
114W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
DPAK
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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