Vishay Siliconix - SQM25N15-52_GE3

KEY Part #: K6418692

SQM25N15-52_GE3 価格設定(USD) [73379個在庫]

  • 1 pcs$0.53286

品番:
SQM25N15-52_GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 150V 25A TO263.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQM25N15-52_GE3 製品の属性

品番 : SQM25N15-52_GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 150V 25A TO263
シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 150V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 25A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 52 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 51nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 2360pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 107W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-263 (D²Pak)
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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