DMT8012LSS-13 価格設定（USD） [214990個在庫]
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- 品番:
- DMT8012LSS-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-アレイ and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT8012LSS-13 electronic components. DMT8012LSS-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT8012LSS-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT8012LSS-13 製品の属性
品番 :
DMT8012LSS-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CHA 80V 9.7A SO8
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.7A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16.5 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
34nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1949pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1.5W (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-SO
パッケージ/ケース :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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